GSM4248W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM4248W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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GSM4248W datasheet

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GSM4248W

GSM4248W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4248W, N-Channel enhancement mode 20V/6.0A,RDS(ON)=28m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/5.0A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.0A,RDS(ON)=42m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are part

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GSM4248W

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GSM4248W

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These Super high density cell design for extremely devices are particularly suited for low voltage low RDS (ON) power mana

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GSM4248W

GSM4214W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214W, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low S

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