Справочник MOSFET. GSM4248W

 

GSM4248W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4248W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4248W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:892K  globaltech semi
 gsm4248w.pdf pdf_icon

GSM4248W

GSM4248W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4248W, N-Channel enhancement mode 20V/6.0A,RDS(ON)=28m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/5.0A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are part

 9.1. Size:937K  globaltech semi
 gsm4210w.pdf pdf_icon

GSM4248W

GSM4210W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4210W, N-Channel enhancement mode 30V/6.8A,RDS(ON)=32m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.6A,RDS(ON)=40m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.2. Size:824K  globaltech semi
 gsm4214.pdf pdf_icon

GSM4248W

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These Super high density cell design for extremely devices are particularly suited for low voltage low RDS (ON) power mana

 9.3. Size:794K  globaltech semi
 gsm4214w.pdf pdf_icon

GSM4248W

GSM4214W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214W, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SED10070GG | VSE002N03MS-G | 2SK1506 | 2SK3430-ZJ | STB140NF75-1 | IRFS9N60APBF | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.