GSM4248W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM4248W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

Аналог (замена) для GSM4248W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4248W даташит

 ..1. Size:892K  globaltech semi
 gsm4248w.pdf pdf_icon

GSM4248W

GSM4248W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4248W, N-Channel enhancement mode 20V/6.0A,RDS(ON)=28m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/5.0A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.0A,RDS(ON)=42m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are part

 9.1. Size:937K  globaltech semi
 gsm4210w.pdf pdf_icon

GSM4248W

 9.2. Size:824K  globaltech semi
 gsm4214.pdf pdf_icon

GSM4248W

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These Super high density cell design for extremely devices are particularly suited for low voltage low RDS (ON) power mana

 9.3. Size:794K  globaltech semi
 gsm4214w.pdf pdf_icon

GSM4248W

GSM4214W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214W, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM4134W, GSM4172S, GSM4172WS, GSM4210, GSM4210W, GSM4214, GSM4214W, GSM4228, 10N60, GSM4401S, GSM4403, GSM4412, GSM4412W, GSM4422, MTB36N06V, PHP36N06E, PHB36N06E