PHP36N06E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP36N06E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 41 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Tiempo de subida (tr): 55 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP36N06E

PHP36N06E Datasheet (PDF)

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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 Aautomotive applications, Switched Ptot Total power dissipation 125 WMode

..2. Size:51K philips
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PHD/PHP36N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 8 June 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level compatible Low gate charge1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies1.4 Quick r

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: