PHP36N06E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PHP36N06E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для PHP36N06E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PHP36N06E даташит
php36n06e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 A automotive applications, Switched Ptot Total power dissipation 125 W Mode
php36n06e 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 A automotive applications, Switched Ptot Total power dissipation 125 W Mode
phd36n03lt php36n03lt.pdf
PHD/PHP36N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 8 June 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level compatible Low gate charge 1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies 1.4 Quick r
Другие IGBT... GSM4228, GSM4248W, GSM4401S, GSM4403, GSM4412, GSM4412W, GSM4422, MTB36N06V, IRFP250N, PHB36N06E, FTD36N06N, SFP65N06, IPI16CN10N, GSM4424, GSM4424W, GSM4435, GSM4435S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent



