PHB36N06E Todos los transistores

 

PHB36N06E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB36N06E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT404
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHB36N06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  philips
 phb36n06e 1.pdf pdf_icon

PHB36N06E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 41 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125 W

 ..2. Size:54K  philips
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PHB36N06E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 41 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125 W

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History: IXFT28N50Q | FTK50N06 | APT5018BLL | HD2307 | CS8N65FA9H | STB21NM60N | RU30100R

 

 
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