Справочник MOSFET. PHB36N06E

 

PHB36N06E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB36N06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для PHB36N06E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB36N06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  philips
 phb36n06e 1.pdf pdf_icon

PHB36N06E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 41 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125 W

 ..2. Size:54K  philips
 phb36n06e.pdf pdf_icon

PHB36N06E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 41 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125 W

Другие MOSFET... GSM4248W , GSM4401S , GSM4403 , GSM4412 , GSM4412W , GSM4422 , MTB36N06V , PHP36N06E , 7N65 , FTD36N06N , SFP65N06 , IPI16CN10N , GSM4424 , GSM4424W , GSM4435 , GSM4435S , GSM4435W .

History: HYG067N07NQ1P | KI502DT | NP50P06KDG

 

 
Back to Top

 


 
.