PHB36N06E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB36N06E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для PHB36N06E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB36N06E даташит

 ..1. Size:54K  philips
 phb36n06e 1.pdf pdf_icon

PHB36N06E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 V mount applications. ID Drain current (DC) 41 A The device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125 W

 ..2. Size:54K  philips
 phb36n06e.pdf pdf_icon

PHB36N06E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 V mount applications. ID Drain current (DC) 41 A The device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125 W

Другие IGBT... GSM4248W, GSM4401S, GSM4403, GSM4412, GSM4412W, GSM4422, MTB36N06V, PHP36N06E, IRF630, FTD36N06N, SFP65N06, IPI16CN10N, GSM4424, GSM4424W, GSM4435, GSM4435S, GSM4435W