Справочник MOSFET. PHB36N06E

 

PHB36N06E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB36N06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB36N06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  philips
 phb36n06e 1.pdf pdf_icon

PHB36N06E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 41 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125 W

 ..2. Size:54K  philips
 phb36n06e.pdf pdf_icon

PHB36N06E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 41 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125 W

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STU448S | NVMFS5C628N | OSG65R460FZF | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.