FTD36N06N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTD36N06N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 117 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTD36N06N
FTD36N06N Datasheet (PDF)
ftd36n06n.pdf
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FTD36N06NN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) IDAutomotiveDC Motor Control60V 28 m 25ADC-DC Converters and Off-Line UPSFeatures: RoHS Compliant D Low ON ResistanceD Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGSTO-252Ordering InformationNot to Scale SPART NUMBER PACKAGE BRAND
ftd36n06n.pdf
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FTD36N06Nwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n
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