FTD36N06N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTD36N06N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FTD36N06N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTD36N06N даташит

 ..1. Size:370K  inpower semi
 ftd36n06n.pdf pdf_icon

FTD36N06N

FTD36N06N N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Automotive DC Motor Control 60V 28 m 25A DC-DC Converters and Off-Line UPS Features RoHS Compliant D Low ON Resistance D Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G G S TO-252 Ordering Information Not to Scale S PART NUMBER PACKAGE BRAND

 ..2. Size:711K  cn vbsemi
 ftd36n06n.pdf pdf_icon

FTD36N06N

FTD36N06N www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n

Другие IGBT... GSM4401S, GSM4403, GSM4412, GSM4412W, GSM4422, MTB36N06V, PHP36N06E, PHB36N06E, IRF9540, SFP65N06, IPI16CN10N, GSM4424, GSM4424W, GSM4435, GSM4435S, GSM4435W, GSM4435WS