Справочник MOSFET. FTD36N06N

 

FTD36N06N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTD36N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FTD36N06N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTD36N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  inpower semi
 ftd36n06n.pdf pdf_icon

FTD36N06N

FTD36N06NN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) IDAutomotiveDC Motor Control60V 28 m 25ADC-DC Converters and Off-Line UPSFeatures: RoHS Compliant D Low ON ResistanceD Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGSTO-252Ordering InformationNot to Scale SPART NUMBER PACKAGE BRAND

 ..2. Size:711K  cn vbsemi
 ftd36n06n.pdf pdf_icon

FTD36N06N

FTD36N06Nwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n

Другие MOSFET... GSM4401S , GSM4403 , GSM4412 , GSM4412W , GSM4422 , MTB36N06V , PHP36N06E , PHB36N06E , K3569 , SFP65N06 , IPI16CN10N , GSM4424 , GSM4424W , GSM4435 , GSM4435S , GSM4435W , GSM4435WS .

History: SFG100N08KF | SE10060A | MTP10N25 | WST8205

 

 
Back to Top

 


 
.