SFP65N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFP65N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 108 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 772 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFP65N06

SFP65N06 Datasheet (PDF)

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sfp65n06.pdf

Advanced Power MOSFETPRELIMINARYFEATURESBVDSS = 30 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.016 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 65 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 30V Lower RDS(ON) : 0.011 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characte

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