SFP65N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP65N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 772 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO220

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SFP65N06 datasheet

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SFP65N06

Advanced Power MOSFET PRELIMINARY FEATURES BVDSS = 30 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.016 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 65 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 30V Lower RDS(ON) 0.011 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characte

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