Справочник MOSFET. SFP65N06

 

SFP65N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFP65N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 108 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 772 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SFP65N06

 

 

SFP65N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  samsung
 sfp65n06.pdf

SFP65N06 SFP65N06

Advanced Power MOSFETPRELIMINARYFEATURESBVDSS = 30 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.016 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 65 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 30V Lower RDS(ON) : 0.011 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characte

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TSF840MR

 

 
Back to Top