Справочник MOSFET. SFP65N06

 

SFP65N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP65N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 772 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP65N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP65N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  samsung
 sfp65n06.pdf pdf_icon

SFP65N06

Advanced Power MOSFETPRELIMINARYFEATURESBVDSS = 30 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.016 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 65 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 30V Lower RDS(ON) : 0.011 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characte

Другие MOSFET... GSM4403 , GSM4412 , GSM4412W , GSM4422 , MTB36N06V , PHP36N06E , PHB36N06E , FTD36N06N , 2N7000 , IPI16CN10N , GSM4424 , GSM4424W , GSM4435 , GSM4435S , GSM4435W , GSM4435WS , GSM4440 .

History: SWF4N70K | IRFS3507PBF | IXFK48N60Q3 | FDP86363F085 | WMM030N06HG4 | 6N80AF

 

 
Back to Top

 


 
.