SFP65N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP65N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 772 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP65N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP65N06 даташит

 ..1. Size:548K  samsung
 sfp65n06.pdf pdf_icon

SFP65N06

Advanced Power MOSFET PRELIMINARY FEATURES BVDSS = 30 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.016 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 65 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 30V Lower RDS(ON) 0.011 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characte

Другие IGBT... GSM4403, GSM4412, GSM4412W, GSM4422, MTB36N06V, PHP36N06E, PHB36N06E, FTD36N06N, AON7408, IPI16CN10N, GSM4424, GSM4424W, GSM4435, GSM4435S, GSM4435W, GSM4435WS, GSM4440