IPI16CN10N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI16CN10N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 364 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO262

 Búsqueda de reemplazo de IPI16CN10N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPI16CN10N datasheet

 ..1. Size:661K  infineon
 ipb16cn10n ipd16cn10n ipi16cn10n ipp16cn10n.pdf pdf_icon

IPI16CN10N

www.DataSheet4U.com IPB16CN10N G IPD16CN10N G IPI16CN10N G IPP16CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 16 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 53 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 ipi16cn10n.pdf pdf_icon

IPI16CN10N

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI16CN10N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 16m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

 0.1. Size:906K  infineon
 ipb16cn10ng ipd16cn10ng ipi16cn10ng ipp16cn10ng.pdf pdf_icon

IPI16CN10N

$ " " $ " " $ " " $$ " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D 1 Features D 1 m S ) 5 3@@7> @AD?3> >7H7> . A@ ?3J /* S !J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F "* ( D D n) S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7 S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A$. 5A?B>;3@F 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA &! ! 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ S %673> 8AD ;9 8D7CG7@5K EI;F5 ;@9 3@6 EK@5 DA@AGE D7

Otros transistores... GSM4412, GSM4412W, GSM4422, MTB36N06V, PHP36N06E, PHB36N06E, FTD36N06N, SFP65N06, 2SK3878, GSM4424, GSM4424W, GSM4435, GSM4435S, GSM4435W, GSM4435WS, GSM4440, GSM4440W