IPI16CN10N Todos los transistores

 

IPI16CN10N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPI16CN10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 364 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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IPI16CN10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  infineon
 ipb16cn10n ipd16cn10n ipi16cn10n ipp16cn10n.pdf pdf_icon

IPI16CN10N

www.DataSheet4U.comIPB16CN10N G IPD16CN10N GIPI16CN10N G IPP16CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 16mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 53 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
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IPI16CN10N

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI16CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 16mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

 0.1. Size:906K  infineon
 ipb16cn10ng ipd16cn10ng ipi16cn10ng ipp16cn10ng.pdf pdf_icon

IPI16CN10N

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Otros transistores... GSM4412 , GSM4412W , GSM4422 , MTB36N06V , PHP36N06E , PHB36N06E , FTD36N06N , SFP65N06 , IRFP260 , GSM4424 , GSM4424W , GSM4435 , GSM4435S , GSM4435W , GSM4435WS , GSM4440 , GSM4440W .

History: SSD20N10-250D | SWN6N80D | IRF8714G

 

 
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