Справочник MOSFET. IPI16CN10N

 

IPI16CN10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPI16CN10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 364 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IPI16CN10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI16CN10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  infineon
ipb16cn10n ipd16cn10n ipi16cn10n ipp16cn10n.pdfpdf_icon

IPI16CN10N

www.DataSheet4U.comIPB16CN10N G IPD16CN10N GIPI16CN10N G IPP16CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 16mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 53 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
ipi16cn10n.pdfpdf_icon

IPI16CN10N

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI16CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 16mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

 0.1. Size:906K  infineon
ipb16cn10ng ipd16cn10ng ipi16cn10ng ipp16cn10ng.pdfpdf_icon

IPI16CN10N

$ " " $ " " $ " " $$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=D 1 Features D 1 m S ) 5:3@@7> @AD?3> >7H7> . A@ ?3J /* S !J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F "* ( DD n)S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A$. 5A?B>;3@F1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA &! ! 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@S %673> 8AD :;9: 8D7CG7@5K EI;F5:;@9 3@6 EK@5:DA@AGE D7

Другие MOSFET... GSM4412 , GSM4412W , GSM4422 , MTB36N06V , PHP36N06E , PHB36N06E , FTD36N06N , SFP65N06 , IRFP260 , GSM4424 , GSM4424W , GSM4435 , GSM4435S , GSM4435W , GSM4435WS , GSM4440 , GSM4440W .

History: PTW90N20 | ASDM65N18S | SFG019N100C3

 

 
Back to Top

 


 
.