GSM4634WS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM4634WS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM4634WS

GSM4634WS Datasheet (PDF)

..1. Size:902K globaltech semi
gsm4634ws.pdf

GSM4634WS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4634WS, N-Channel enhancement mode 30V/18A,RDS(ON)=5.8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/15A,RDS(ON)=7.2m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON)

8.1. Size:617K globaltech semi
gsm4637w.pdf

GSM4637W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)=37m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)=54m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

8.2. Size:1229K globaltech semi
gsm4637.pdf

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volta

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