GSM4634WS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM4634WS
Маркировка: 4634WS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 480 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
GSM4634WS Datasheet (PDF)
gsm4634ws.pdf
GSM4634WS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4634WS, N-Channel enhancement mode 30V/18A,RDS(ON)=5.8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/15A,RDS(ON)=7.2m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON)
gsm4637w.pdf
GSM4637W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)=37m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)=54m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for
gsm4637.pdf
40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volta
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
