GSM501DEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM501DEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM501DEA

GSM501DEA Datasheet (PDF)

..1. Size:742K globaltech semi
gsm501dea.pdf

GSM501DEA 600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM501DEA is an N-channel depletion-mode 600V/16mA,RDS(ON)=700@VGS=10V Power MOSEFT which is produced using VDMOS 600V/3mA,RDS(ON)=700@VGS=4.5V technology. Depletion-mode (Normally-on) Improved ESD ability Fast switching The improved planar stripe cell have been especially Impr

9.1. Size:1210K globaltech semi
gsm5004s.pdf

GSM5004S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5004S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 5.5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 6.5m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-25

9.2. Size:1210K globaltech semi
gsm5008s.pdf

GSM5008S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5008S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 8.5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 10.5m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-2

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Liste

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