GSM501DEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM501DEA
Código: 501DE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.1 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM501DEA
GSM501DEA Datasheet (PDF)
gsm501dea.pdf
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gsm5004s.pdf
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gsm5008s.pdf
GSM5008S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5008S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 8.5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 10.5m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-2
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