Справочник MOSFET. GSM501DEA

 

GSM501DEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM501DEA
   Маркировка: 501DE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для GSM501DEA

 

 

GSM501DEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  globaltech semi
 gsm501dea.pdf

GSM501DEA GSM501DEA

GSM501DEA 600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM501DEA is an N-channel depletion-mode 600V/16mA,RDS(ON)=700@VGS=10V Power MOSEFT which is produced using VDMOS 600V/3mA,RDS(ON)=700@VGS=4.5V technology. Depletion-mode (Normally-on) Improved ESD ability Fast switching The improved planar stripe cell have been especially Impr

 9.1. Size:1210K  globaltech semi
 gsm5004s.pdf

GSM501DEA GSM501DEA

GSM5004S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5004S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 5.5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 6.5m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-25

 9.2. Size:1210K  globaltech semi
 gsm5008s.pdf

GSM501DEA GSM501DEA

GSM5008S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5008S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 8.5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 10.5m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top