GSM5604 Todos los transistores

 

GSM5604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM5604
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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GSM5604 Datasheet (PDF)

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GSM5604

GSM5604 40V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=20m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -40V/-15A,RDS(ON)=38m@VGS=-10V volta

 8.1. Size:1213K  globaltech semi
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GSM5604

GSM5606 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)=42m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-15A,RDS(ON)=100m@VGS=-10V volt

Otros transistores... GSM4953WS , GSM4996 , GSM4997 , GSM4998 , GSM4998W , GSM5004S , GSM5008S , GSM501DEA , P0903BDG , GSM5606 , GSM6202S , GSM6236S , GSM6332 , GSM6405 , GSM6405WS , GSM6424 , GSM6506S .

History: NCEP02525K | IPT60R040S7 | IRFPG40PBF | NCE4005 | FDP79N15 | NCEP030N12 | SPN65T10

 

 
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