GSM5604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM5604
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM5604

GSM5604 Datasheet (PDF)

..1. Size:1427K globaltech semi
gsm5604.pdf

GSM5604 40V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=20m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -40V/-15A,RDS(ON)=38m@VGS=-10V volta

8.1. Size:1213K globaltech semi
gsm5606.pdf

GSM5606 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)=42m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-15A,RDS(ON)=100m@VGS=-10V volt

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: