Справочник MOSFET. GSM5604

 

GSM5604 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM5604
   Маркировка: 5604
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для GSM5604

 

 

GSM5604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1427K  globaltech semi
 gsm5604.pdf

GSM5604 GSM5604

GSM5604 40V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=20m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -40V/-15A,RDS(ON)=38m@VGS=-10V volta

 8.1. Size:1213K  globaltech semi
 gsm5606.pdf

GSM5604 GSM5604

GSM5606 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)=42m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-15A,RDS(ON)=100m@VGS=-10V volt

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top