GSM5606 Todos los transistores

 

GSM5606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM5606
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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GSM5606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  globaltech semi
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GSM5606

GSM5606 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)=42m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-15A,RDS(ON)=100m@VGS=-10V volt

 8.1. Size:1427K  globaltech semi
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GSM5606

GSM5604 40V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=20m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -40V/-15A,RDS(ON)=38m@VGS=-10V volta

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History: DMP3085LSD | DH029N08B

 

 
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