GSM5606 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM5606

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO-252

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GSM5606 datasheet

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GSM5606

GSM5606 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)=42m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-15A,RDS(ON)=100m @VGS=-10V volt

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GSM5606

GSM5604 40V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=20m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)=30m @VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -40V/-15A,RDS(ON)=38m @VGS=-10V volta

Otros transistores... GSM4996, GSM4997, GSM4998, GSM4998W, GSM5004S, GSM5008S, GSM501DEA, GSM5604, IRLB3034, GSM6202S, GSM6236S, GSM6332, GSM6405, GSM6405WS, GSM6424, GSM6506S, GSM6520S