Справочник MOSFET. GSM5606

 

GSM5606 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM5606
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для GSM5606

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM5606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  globaltech semi
 gsm5606.pdf pdf_icon

GSM5606

GSM5606 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)=42m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-15A,RDS(ON)=100m@VGS=-10V volt

 8.1. Size:1427K  globaltech semi
 gsm5604.pdf pdf_icon

GSM5606

GSM5604 40V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=20m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -40V/-15A,RDS(ON)=38m@VGS=-10V volta

Другие MOSFET... GSM4996 , GSM4997 , GSM4998 , GSM4998W , GSM5004S , GSM5008S , GSM501DEA , GSM5604 , 60N06 , GSM6202S , GSM6236S , GSM6332 , GSM6405 , GSM6405WS , GSM6424 , GSM6506S , GSM6520S .

History: PSMN5R0-100PS | MMQ60R115PTH | VBE1638 | IRFS621 | AFN08N50T220T | IRF540ZSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.