GSM5606 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM5606

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для GSM5606

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM5606 даташит

 ..1. Size:1213K  globaltech semi
 gsm5606.pdf pdf_icon

GSM5606

GSM5606 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)=42m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-15A,RDS(ON)=100m @VGS=-10V volt

 8.1. Size:1427K  globaltech semi
 gsm5604.pdf pdf_icon

GSM5606

GSM5604 40V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=20m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)=30m @VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -40V/-15A,RDS(ON)=38m @VGS=-10V volta

Другие IGBT... GSM4996, GSM4997, GSM4998, GSM4998W, GSM5004S, GSM5008S, GSM501DEA, GSM5604, IRLB3034, GSM6202S, GSM6236S, GSM6332, GSM6405, GSM6405WS, GSM6424, GSM6506S, GSM6520S