GSM6202S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM6202S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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GSM6202S datasheet

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GSM6202S

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

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GSM6202S

GSM6236S GSM6236S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6236S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)=3.3m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=4.3m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Otros transistores... GSM4997, GSM4998, GSM4998W, GSM5004S, GSM5008S, GSM501DEA, GSM5604, GSM5606, IRF9640, GSM6236S, GSM6332, GSM6405, GSM6405WS, GSM6424, GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S