Справочник MOSFET. GSM6202S

 

GSM6202S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM6202S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для GSM6202S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6202S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  globaltech semi
 gsm6202s.pdf pdf_icon

GSM6202S

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited

 9.1. Size:1363K  globaltech semi
 gsm6236s.pdf pdf_icon

GSM6202S

GSM6236S GSM6236S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6236S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)=3.3m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=4.3m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... GSM4997 , GSM4998 , GSM4998W , GSM5004S , GSM5008S , GSM501DEA , GSM5604 , GSM5606 , AON7403 , GSM6236S , GSM6332 , GSM6405 , GSM6405WS , GSM6424 , GSM6506S , GSM6520S , GSM6530S .

History: IRFI734GPBF | FHF630A | SM2363PSA | KI4453DY | NVBLS1D1N08H | FMD5N50E5 | TK4Q60DA

 

 
Back to Top

 


 
.