Справочник MOSFET. GSM6202S

 

GSM6202S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM6202S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6202S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  globaltech semi
 gsm6202s.pdf pdf_icon

GSM6202S

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited

 9.1. Size:1363K  globaltech semi
 gsm6236s.pdf pdf_icon

GSM6202S

GSM6236S GSM6236S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6236S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)=3.3m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=4.3m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.