GSM6332 Todos los transistores

 

GSM6332 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM6332
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

 Búsqueda de reemplazo de GSM6332 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GSM6332 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1377K  globaltech semi
 gsm6332.pdf pdf_icon

GSM6332

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM6332 is the N and P Pair enhancement N-Channelmode MOSFET, uses Advanced Trench 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON) , low gate 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V charge. 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-1

Otros transistores... GSM4998W , GSM5004S , GSM5008S , GSM501DEA , GSM5604 , GSM5606 , GSM6202S , GSM6236S , EMB04N03H , GSM6405 , GSM6405WS , GSM6424 , GSM6506S , GSM6520S , GSM6530S , GSM6561 , GSM6562 .

History: TK17V65W | SSM6N35FU | MS70N03 | UF6N15 | R6015ANX | SM6A25NSF | N0603N

 

 
Back to Top

 


 
.