GSM6332 Todos los transistores

 

GSM6332 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM6332
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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GSM6332 Datasheet (PDF)

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GSM6332

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM6332 is the N and P Pair enhancement N-Channelmode MOSFET, uses Advanced Trench 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON) , low gate 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V charge. 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-1

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History: TPP70R190C | MSK30N03DF | AP6679BGH-HF | SSF11NS65F | SI7720DN | MTM8N35 | BRCS2N65QF

 

 
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