GSM6332 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM6332
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM6332

GSM6332 Datasheet (PDF)

..1. Size:1377K globaltech semi
gsm6332.pdf

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM6332 is the N and P Pair enhancement N-Channelmode MOSFET, uses Advanced Trench 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON) , low gate 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V charge. 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-1

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: