GSM6332 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM6332

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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GSM6332 datasheet

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GSM6332

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM6332 is the N and P Pair enhancement N-Channel mode MOSFET, uses Advanced Trench 20V/1.0A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON) , low gate 20V/0.8A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V charge. 20V/0.7A,RDS(ON)=580m @VGS=1.8V P-Channel These devices are particularly suited for low -20V/-1

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