GSM6332 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM6332

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для GSM6332

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6332 даташит

 ..1. Size:1377K  globaltech semi
 gsm6332.pdf pdf_icon

GSM6332

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM6332 is the N and P Pair enhancement N-Channel mode MOSFET, uses Advanced Trench 20V/1.0A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON) , low gate 20V/0.8A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V charge. 20V/0.7A,RDS(ON)=580m @VGS=1.8V P-Channel These devices are particularly suited for low -20V/-1

Другие IGBT... GSM4998W, GSM5004S, GSM5008S, GSM501DEA, GSM5604, GSM5606, GSM6202S, GSM6236S, AON7403, GSM6405, GSM6405WS, GSM6424, GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S, GSM6561, GSM6562