Справочник MOSFET. GSM6332

 

GSM6332 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM6332
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для GSM6332

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6332 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1377K  globaltech semi
 gsm6332.pdf pdf_icon

GSM6332

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM6332 is the N and P Pair enhancement N-Channelmode MOSFET, uses Advanced Trench 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON) , low gate 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V charge. 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-1

Другие MOSFET... GSM4998W , GSM5004S , GSM5008S , GSM501DEA , GSM5604 , GSM5606 , GSM6202S , GSM6236S , EMB04N03H , GSM6405 , GSM6405WS , GSM6424 , GSM6506S , GSM6520S , GSM6530S , GSM6561 , GSM6562 .

History: UPA2550T1H | HSBA8048 | IPD60R180P7 | FDS4072N3 | SPB07N60C2 | FQPF50N06 | WMK08N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.