Справочник MOSFET. GSM6332

 

GSM6332 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM6332
   Маркировка: 32*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.06 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для GSM6332

 

 

GSM6332 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1377K  globaltech semi
 gsm6332.pdf

GSM6332 GSM6332

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM6332 is the N and P Pair enhancement N-Channelmode MOSFET, uses Advanced Trench 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON) , low gate 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V charge. 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-1

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top