GSM6405WS Todos los transistores

 

GSM6405WS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM6405WS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

 Búsqueda de reemplazo de GSM6405WS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GSM6405WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1072K  globaltech semi
 gsm6405 gsm6405ws.pdf pdf_icon

GSM6405WS

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6405TSF, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=55m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.0A,RDS(ON)=85m@VGS=-4.5V provide excellent RDS (ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:1035K  globaltech semi
 gsm6424.pdf pdf_icon

GSM6405WS

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6424,N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m@VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-

Otros transistores... GSM5008S , GSM501DEA , GSM5604 , GSM5606 , GSM6202S , GSM6236S , GSM6332 , GSM6405 , 2SK3918 , GSM6424 , GSM6506S , GSM6520S , GSM6530S , GSM6561 , GSM6562 , GSM6601 , GSM6602 .

History: BSO200P03S | NP82N055NHE | TT8K11 | 2SK2596

 

 
Back to Top

 


 
.