Справочник MOSFET. GSM6405WS

 

GSM6405WS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM6405WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для GSM6405WS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6405WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1072K  globaltech semi
 gsm6405 gsm6405ws.pdf pdf_icon

GSM6405WS

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6405TSF, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=55m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.0A,RDS(ON)=85m@VGS=-4.5V provide excellent RDS (ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:1035K  globaltech semi
 gsm6424.pdf pdf_icon

GSM6405WS

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6424,N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m@VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-

Другие MOSFET... GSM5008S , GSM501DEA , GSM5604 , GSM5606 , GSM6202S , GSM6236S , GSM6332 , GSM6405 , 2SK3918 , GSM6424 , GSM6506S , GSM6520S , GSM6530S , GSM6561 , GSM6562 , GSM6601 , GSM6602 .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.