GSM6405WS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM6405WS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для GSM6405WS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6405WS даташит

 ..1. Size:1072K  globaltech semi
 gsm6405 gsm6405ws.pdf pdf_icon

GSM6405WS

 9.1. Size:1035K  globaltech semi
 gsm6424.pdf pdf_icon

GSM6405WS

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6424,N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m @VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.0A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-

Другие IGBT... GSM5008S, GSM501DEA, GSM5604, GSM5606, GSM6202S, GSM6236S, GSM6332, GSM6405, EMB04N03H, GSM6424, GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S, GSM6561, GSM6562, GSM6601, GSM6602