GSM6801 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM6801

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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GSM6801 datasheet

 ..1. Size:400K  globaltech semi
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GSM6801

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m @VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell

 9.1. Size:943K  globaltech semi
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GSM6801

GSM6820 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6820, N-Channel enhancement mode 20V/3.4A,RDS(ON)=58m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.0A,RDS(ON)=68m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=88m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are partic

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GSM6801

GSM6830 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6830, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m @VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are partic

Otros transistores... GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S, GSM6561, GSM6562, GSM6601, GSM6602, GSM6604, IRF3205, GSM6820, GSM6830, GSM6993, GSM7002, GSM7002J, GSM7002K, GSM7002T, GSM7002W