GSM6801 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM6801

Маркировка: 81*

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для GSM6801

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6801 даташит

 ..1. Size:400K  globaltech semi
 gsm6801.pdf pdf_icon

GSM6801

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m @VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell

 9.1. Size:943K  globaltech semi
 gsm6820.pdf pdf_icon

GSM6801

GSM6820 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6820, N-Channel enhancement mode 20V/3.4A,RDS(ON)=58m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.0A,RDS(ON)=68m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=88m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 9.2. Size:894K  globaltech semi
 gsm6830.pdf pdf_icon

GSM6801

GSM6830 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6830, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m @VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are partic

Другие IGBT... GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S, GSM6561, GSM6562, GSM6601, GSM6602, GSM6604, IRF3205, GSM6820, GSM6830, GSM6993, GSM7002, GSM7002J, GSM7002K, GSM7002T, GSM7002W