GSM6820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM6820
   Código: 20*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.8 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM6820

GSM6820 Datasheet (PDF)

..1. Size:943K globaltech semi
gsm6820.pdf

GSM6820 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6820, N-Channel enhancement mode 20V/3.4A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.0A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are partic

9.1. Size:894K globaltech semi
gsm6830.pdf

GSM6830 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6830, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m@VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are partic

9.2. Size:400K globaltech semi
gsm6801.pdf

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell

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Liste

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