Справочник MOSFET. GSM6820

 

GSM6820 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM6820
   Маркировка: 20*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для GSM6820

 

 

GSM6820 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  globaltech semi
 gsm6820.pdf

GSM6820 GSM6820

GSM6820 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6820, N-Channel enhancement mode 20V/3.4A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.0A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 9.1. Size:894K  globaltech semi
 gsm6830.pdf

GSM6820 GSM6820

GSM6830 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6830, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m@VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 9.2. Size:400K  globaltech semi
 gsm6801.pdf

GSM6820 GSM6820

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top