GSM6993 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM6993
Código: 6993
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM6993
GSM6993 Datasheet (PDF)
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GSM6993 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6993, P-Channel enhancement mode -30V/-4.8A,RDS(ON)=32m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.0A,RDS(ON)=38m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f
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