GSM6993 Todos los transistores

 

GSM6993 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM6993
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8P
 

 Búsqueda de reemplazo de GSM6993 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GSM6993 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:857K  globaltech semi
 gsm6993.pdf pdf_icon

GSM6993

GSM6993 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6993, P-Channel enhancement mode -30V/-4.8A,RDS(ON)=32m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.0A,RDS(ON)=38m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

Otros transistores... GSM6561 , GSM6562 , GSM6601 , GSM6602 , GSM6604 , GSM6801 , GSM6820 , GSM6830 , 20N60 , GSM7002 , GSM7002J , GSM7002K , GSM7002T , GSM7002W , GSM7106S , GSM7400 , GSM7402 .

History: BUK754R3-75C | CHM4953JGP | AP9971AGJ-HF | APM4820K

 

 
Back to Top

 


 
.