GSM6993 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM6993

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8P

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GSM6993 datasheet

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GSM6993

GSM6993 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6993, P-Channel enhancement mode -30V/-4.8A,RDS(ON)=32m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.0A,RDS(ON)=38m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

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