GSM6993 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM6993
   Código: 6993
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM6993

GSM6993 Datasheet (PDF)

..1. Size:857K globaltech semi
gsm6993.pdf

GSM6993 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6993, P-Channel enhancement mode -30V/-4.8A,RDS(ON)=32m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.0A,RDS(ON)=38m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

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Liste

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