Справочник MOSFET. GSM6993

 

GSM6993 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM6993
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6993 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:857K  globaltech semi
 gsm6993.pdf pdf_icon

GSM6993

GSM6993 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6993, P-Channel enhancement mode -30V/-4.8A,RDS(ON)=32m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.0A,RDS(ON)=38m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: LNH05R155 | ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.