GSM6993 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM6993

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8P

Аналог (замена) для GSM6993

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6993 даташит

 ..1. Size:857K  globaltech semi
 gsm6993.pdf pdf_icon

GSM6993

GSM6993 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6993, P-Channel enhancement mode -30V/-4.8A,RDS(ON)=32m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.0A,RDS(ON)=38m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

Другие IGBT... GSM6561, GSM6562, GSM6601, GSM6602, GSM6604, GSM6801, GSM6820, GSM6830, 20N60, GSM7002, GSM7002J, GSM7002K, GSM7002T, GSM7002W, GSM7106S, GSM7400, GSM7402