GSM7106S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM7106S
   Código: 7106S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN33X33-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM7106S

GSM7106S Datasheet (PDF)

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gsm7106s.pdf

GSM7106S GSM7106S 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/15A,RDS(ON)=8.4m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suite

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