GSM7106S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM7106S
Código: 7106S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN33X33-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM7106S
GSM7106S Datasheet (PDF)
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GSM7106S GSM7106S 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/15A,RDS(ON)=8.4m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suite
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