GSM7106S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM7106S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm

Encapsulados: DFN33X33-8L

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GSM7106S datasheet

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GSM7106S

GSM7106S GSM7106S 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/15A,RDS(ON)=8.4m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

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