Справочник MOSFET. GSM7106S

 

GSM7106S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM7106S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: DFN33X33-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7106S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  globaltech semi
 gsm7106s.pdf pdf_icon

GSM7106S

GSM7106S GSM7106S 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/15A,RDS(ON)=8.4m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suite

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CES2342 | OSG55R074HSZF | FDC654P | PNMET20V06E | 2SK1501 | TX15N10B | IXFX30N110P

 

 
Back to Top

 


 
.