GSM7106S - аналоги и даташиты транзистора

 

GSM7106S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSM7106S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: DFN33X33-8L
 

 Аналог (замена) для GSM7106S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7106S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  globaltech semi
 gsm7106s.pdf pdf_icon

GSM7106S

GSM7106S GSM7106S 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/15A,RDS(ON)=8.4m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suite

Другие MOSFET... GSM6820 , GSM6830 , GSM6993 , GSM7002 , GSM7002J , GSM7002K , GSM7002T , GSM7002W , IRFP460 , GSM7400 , GSM7402 , GSM7412 , GSM7420 , GSM7424S , GSM7472S , GSM7617WS , GSM7619WS .

History: HGA080N10AL | FCPF400N80ZCN | AP10N6R0S | MTY100N10E | TF2302A | APT8035JN

 

 
Back to Top

 


 
.