GSM7106S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM7106S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: DFN33X33-8L

Аналог (замена) для GSM7106S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7106S даташит

 ..1. Size:807K  globaltech semi
 gsm7106s.pdf pdf_icon

GSM7106S

GSM7106S GSM7106S 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/15A,RDS(ON)=8.4m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

Другие IGBT... GSM6820, GSM6830, GSM6993, GSM7002, GSM7002J, GSM7002K, GSM7002T, GSM7002W, IRF640, GSM7400, GSM7402, GSM7412, GSM7420, GSM7424S, GSM7472S, GSM7617WS, GSM7619WS