GSM7617WS Todos los transistores

 

GSM7617WS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM7617WS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN33X33-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

GSM7617WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:923K  globaltech semi
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GSM7617WS

GSM7617WS GSM7617WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7617WS, P-Channel enhancement mode -30V/-15A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-10A,RDS(ON)=16m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly

 8.1. Size:905K  globaltech semi
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GSM7617WS

GSM7619WS GSM7619WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7619WS, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly

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History: BUK7616-55A | CSD85312Q3E | AP98T03GP-HF | FTK5N80DD

 

 
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