Справочник MOSFET. GSM7617WS

 

GSM7617WS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM7617WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN33X33-8L
 

 Аналог (замена) для GSM7617WS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7617WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:923K  globaltech semi
 gsm7617ws.pdf pdf_icon

GSM7617WS

GSM7617WS GSM7617WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7617WS, P-Channel enhancement mode -30V/-15A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-10A,RDS(ON)=16m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly

 8.1. Size:905K  globaltech semi
 gsm7619ws.pdf pdf_icon

GSM7617WS

GSM7619WS GSM7619WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7619WS, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly

Другие MOSFET... GSM7002W , GSM7106S , GSM7400 , GSM7402 , GSM7412 , GSM7420 , GSM7424S , GSM7472S , AON6414A , GSM7619WS , GSM7923WS , GSM8205 , GSM8206 , GSM8411 , GSM8412 , GSM8439 , GSM8451 .

History: NP82N06MLG | HGP115N15S | AP2763W-A | FQD3P50TF | AOB414 | 2SK772 | AOCA36102E

 

 
Back to Top

 


 
.