GSM7617WS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM7617WS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DFN33X33-8L

Аналог (замена) для GSM7617WS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7617WS даташит

 ..1. Size:923K  globaltech semi
 gsm7617ws.pdf pdf_icon

GSM7617WS

GSM7617WS GSM7617WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7617WS, P-Channel enhancement mode -30V/-15A,RDS(ON)=10m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-10A,RDS(ON)=16m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly

 8.1. Size:905K  globaltech semi
 gsm7619ws.pdf pdf_icon

GSM7617WS

GSM7619WS GSM7619WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7619WS, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-8A,RDS(ON)=28m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly

Другие IGBT... GSM7002W, GSM7106S, GSM7400, GSM7402, GSM7412, GSM7420, GSM7424S, GSM7472S, IRFB4227, GSM7619WS, GSM7923WS, GSM8205, GSM8206, GSM8411, GSM8412, GSM8439, GSM8451