GSM7617WS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM7617WS
Маркировка: 7617WS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DFN33X33-8L
GSM7617WS Datasheet (PDF)
gsm7617ws.pdf
GSM7617WS GSM7617WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7617WS, P-Channel enhancement mode -30V/-15A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-10A,RDS(ON)=16m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly
gsm7619ws.pdf
GSM7619WS GSM7619WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7619WS, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100