GSM7619WS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM7619WS
Código: 7619WS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM7619WS
GSM7619WS Datasheet (PDF)
gsm7619ws.pdf
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gsm7617ws.pdf
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