Справочник MOSFET. GSM7619WS

 

GSM7619WS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM7619WS
   Маркировка: 7619WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для GSM7619WS

 

 

GSM7619WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  globaltech semi
 gsm7619ws.pdf

GSM7619WS GSM7619WS

GSM7619WS GSM7619WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7619WS, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly

 8.1. Size:923K  globaltech semi
 gsm7617ws.pdf

GSM7619WS GSM7619WS

GSM7617WS GSM7617WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7617WS, P-Channel enhancement mode -30V/-15A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-10A,RDS(ON)=16m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top