GSM8206 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM8206

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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GSM8206 datasheet

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GSM8206

GSM8206 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8206, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=56m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m @VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

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GSM8206

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=37m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for ext

Otros transistores... GSM7412, GSM7420, GSM7424S, GSM7472S, GSM7617WS, GSM7619WS, GSM7923WS, GSM8205, IRFB4115, GSM8411, GSM8412, GSM8439, GSM8451, GSM8452, GSM8459, GSM8471, GSM8473