GSM8206 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM8206
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM8206

GSM8206 Datasheet (PDF)

..1. Size:846K globaltech semi
gsm8206.pdf

GSM8206 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8206, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=56m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

8.1. Size:436K globaltech semi
gsm8205.pdf

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=37m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for ext

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: