GSM8206 - аналоги и даташиты транзистора

 

GSM8206 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSM8206
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для GSM8206

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8206 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:846K  globaltech semi
 gsm8206.pdf pdf_icon

GSM8206

GSM8206 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8206, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=56m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

 8.1. Size:436K  globaltech semi
 gsm8205.pdf pdf_icon

GSM8206

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=37m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for ext

Другие MOSFET... GSM7412 , GSM7420 , GSM7424S , GSM7472S , GSM7617WS , GSM7619WS , GSM7923WS , GSM8205 , IRFB4115 , GSM8411 , GSM8412 , GSM8439 , GSM8451 , GSM8452 , GSM8459 , GSM8471 , GSM8473 .

History: SWP066R72E7T | SML30B40F

 

 
Back to Top

 


 
.