GSM8206 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM8206

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для GSM8206

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8206 даташит

 ..1. Size:846K  globaltech semi
 gsm8206.pdf pdf_icon

GSM8206

GSM8206 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8206, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=56m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m @VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

 8.1. Size:436K  globaltech semi
 gsm8205.pdf pdf_icon

GSM8206

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=37m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for ext

Другие IGBT... GSM7412, GSM7420, GSM7424S, GSM7472S, GSM7617WS, GSM7619WS, GSM7923WS, GSM8205, IRFB4115, GSM8411, GSM8412, GSM8439, GSM8451, GSM8452, GSM8459, GSM8471, GSM8473