GSM8989 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM8989

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: SOT-89

 Búsqueda de reemplazo de GSM8989 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GSM8989 datasheet

 ..1. Size:813K  globaltech semi
 gsm8989.pdf pdf_icon

GSM8989

GSM8989 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8989, P-Channel enhancement mode -60V/-3.6A,RDS(ON)=115m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-2.6A,RDS(ON)=125m @ VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for

 8.1. Size:887K  globaltech semi
 gsm8988.pdf pdf_icon

GSM8989

GSM8988 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8988, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=120m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=130m @ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for lo

 8.2. Size:777K  globaltech semi
 gsm8987w.pdf pdf_icon

GSM8989

 8.3. Size:449K  globaltech semi
 gsm8987.pdf pdf_icon

GSM8989

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... GSM8931, GSM8936, GSM8943, GSM8968, GSM8987, GSM8987W, GSM8988, GSM8988W, 5N65, GSM8995, GSM9407, GSM9434WS, GSM9435S, GSM9435WS, GSM9498, GSM9510S, GSM9565S