GSM8989 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM8989

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для GSM8989

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8989 даташит

 ..1. Size:813K  globaltech semi
 gsm8989.pdf pdf_icon

GSM8989

GSM8989 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8989, P-Channel enhancement mode -60V/-3.6A,RDS(ON)=115m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-2.6A,RDS(ON)=125m @ VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for

 8.1. Size:887K  globaltech semi
 gsm8988.pdf pdf_icon

GSM8989

GSM8988 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8988, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=120m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=130m @ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for lo

 8.2. Size:777K  globaltech semi
 gsm8987w.pdf pdf_icon

GSM8989

 8.3. Size:449K  globaltech semi
 gsm8987.pdf pdf_icon

GSM8989

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM8931, GSM8936, GSM8943, GSM8968, GSM8987, GSM8987W, GSM8988, GSM8988W, 5N65, GSM8995, GSM9407, GSM9434WS, GSM9435S, GSM9435WS, GSM9498, GSM9510S, GSM9565S