H5N2901FL-M0 Todos los transistores

 

H5N2901FL-M0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H5N2901FL-M0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 290 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.091 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FL
 

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H5N2901FL-M0 Datasheet (PDF)

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H5N2901FL-M0

Preliminary Datasheet H5N2901FL-M0 R07DS0996EJ0100290V - 18A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Jan 08, 2013Features Low on-resistance RDS(on) = 0.07 typ. (at ID = 9 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Built-in fast recovery diode Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1

Otros transistores... GSM9995S , GSM9997 , GSMBSS123 , GSMBSS138 , GSMBSS84 , H5N2001LM , H5N2512FL-M0 , H5N2522FP-E0 , AON6380 , H5N3005LM , H5N3007FL-M0 , H5N5004PL-E0-E , H5N5005PL-E0-E , H5N5006LD , H5N5006LM , H5N5016PL-E0-E , H7N0405LD .

History: IPB114N03LG | SM4066CSK

 

 
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