H5N2901FL-M0 Todos los transistores

 

H5N2901FL-M0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H5N2901FL-M0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 290 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.091 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FL
     - Selección de transistores por parámetros

 

H5N2901FL-M0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  renesas
 h5n2901fl-m0.pdf pdf_icon

H5N2901FL-M0

Preliminary Datasheet H5N2901FL-M0 R07DS0996EJ0100290V - 18A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Jan 08, 2013Features Low on-resistance RDS(on) = 0.07 typ. (at ID = 9 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Built-in fast recovery diode Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NCE65TF099F | P06P03LDG

 

 
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