H5N2901FL-M0 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H5N2901FL-M0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 290 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.091 Ohm

Encapsulados: TO-220FL

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H5N2901FL-M0 datasheet

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H5N2901FL-M0

Preliminary Datasheet H5N2901FL-M0 R07DS0996EJ0100 290V - 18A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Jan 08, 2013 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.07 typ. (at ID = 9 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Built-in fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL) D 1

Otros transistores... GSM9995S, GSM9997, GSMBSS123, GSMBSS138, GSMBSS84, H5N2001LM, H5N2512FL-M0, H5N2522FP-E0, IRFZ24N, H5N3005LM, H5N3007FL-M0, H5N5004PL-E0-E, H5N5005PL-E0-E, H5N5006LD, H5N5006LM, H5N5016PL-E0-E, H7N0405LD