H5N2901FL-M0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H5N2901FL-M0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 290 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm

Тип корпуса: TO-220FL

Аналог (замена) для H5N2901FL-M0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H5N2901FL-M0 даташит

 ..1. Size:92K  renesas
 h5n2901fl-m0.pdf pdf_icon

H5N2901FL-M0

Preliminary Datasheet H5N2901FL-M0 R07DS0996EJ0100 290V - 18A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Jan 08, 2013 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.07 typ. (at ID = 9 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Built-in fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL) D 1

Другие IGBT... GSM9995S, GSM9997, GSMBSS123, GSMBSS138, GSMBSS84, H5N2001LM, H5N2512FL-M0, H5N2522FP-E0, IRFZ24N, H5N3005LM, H5N3007FL-M0, H5N5004PL-E0-E, H5N5005PL-E0-E, H5N5006LD, H5N5006LM, H5N5016PL-E0-E, H7N0405LD