H5N2901FL-M0 - аналоги и даташиты транзистора

 

H5N2901FL-M0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: H5N2901FL-M0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 290 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FL
 

 Аналог (замена) для H5N2901FL-M0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H5N2901FL-M0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  renesas
 h5n2901fl-m0.pdf pdf_icon

H5N2901FL-M0

Preliminary Datasheet H5N2901FL-M0 R07DS0996EJ0100290V - 18A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Jan 08, 2013Features Low on-resistance RDS(on) = 0.07 typ. (at ID = 9 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Built-in fast recovery diode Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1

Другие MOSFET... GSM9995S , GSM9997 , GSMBSS123 , GSMBSS138 , GSMBSS84 , H5N2001LM , H5N2512FL-M0 , H5N2522FP-E0 , AON6380 , H5N3005LM , H5N3007FL-M0 , H5N5004PL-E0-E , H5N5005PL-E0-E , H5N5006LD , H5N5006LM , H5N5016PL-E0-E , H7N0405LD .

History: IRFIBE30G

 

 
Back to Top

 


 
.