INJ0312AC1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: INJ0312AC1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-59
Búsqueda de reemplazo de INJ0312AC1 MOSFET
INJ0312AC1 Datasheet (PDF)
inj0312ac1.pdf
INJ0312AC1 High Speed Switching Silicon P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INJ0312AC1 is a Silicon P-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 2.8machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 0.65 1.5 0.65FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current.
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History: 8N80L-TF3-T | CS5N70FA9
History: 8N80L-TF3-T | CS5N70FA9
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