INJ0312AC1 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

INJ0312AC1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: INJ0312AC1
   Маркировка: J9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SC-59

Аналог (замена) для INJ0312AC1

INJ0312AC1 Datasheet (PDF)

..1. Size:241K isahaya
inj0312ac1.pdf

INJ0312AC1 High Speed Switching Silicon P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INJ0312AC1 is a Silicon P-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 2.8machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 0.65 1.5 0.65FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current.

6.1. Size:115K isahaya
inj0312ap1.pdf