INJ0312AP1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: INJ0312AP1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SC-62

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INJ0312AP1 datasheet

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INJ0312AP1

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INJ0312AP1

INJ0312AC1 High Speed Switching Silicon P-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INJ0312AC1 is a Silicon P-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 2.8 machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 0.65 1.5 0.65 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current.

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INJ0312AP1

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