INJ0312AP1 Todos los transistores

 

INJ0312AP1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: INJ0312AP1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-62
 

 Búsqueda de reemplazo de INJ0312AP1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

INJ0312AP1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  isahaya
 inj0312ap1.pdf pdf_icon

INJ0312AP1

 6.1. Size:241K  isahaya
 inj0312ac1.pdf pdf_icon

INJ0312AP1

INJ0312AC1 High Speed Switching Silicon P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INJ0312AC1 is a Silicon P-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 2.8machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 0.65 1.5 0.65FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current.

 9.1. Size:106K  isahaya
 inj0303ac1.pdf pdf_icon

INJ0312AP1

Otros transistores... INJ0011AC1 , INJ0011AM1 , INJ0011AU1 , INJ0203AC1 , INJ0203BC1 , INJ0212AP1 , INJ0303AC1 , INJ0312AC1 , IRF740 , INK0001AC1 , INK0001AM1 , INK0001AU1 , INK0001BC1 , INK0001BM1 , INK0001BU1 , INK0002AC1 , INK0002AM1 .

History: SI2307DS | DAC040N120Z5

 

 
Back to Top

 


 
.