INJ0312AP1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: INJ0312AP1
Маркировка: J9
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SC-62
Аналог (замена) для INJ0312AP1
INJ0312AP1 Datasheet (PDF)
inj0312ac1.pdf
INJ0312AC1 High Speed Switching Silicon P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INJ0312AC1 is a Silicon P-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 2.8machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 0.65 1.5 0.65FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current.
Другие MOSFET... INJ0011AC1 , INJ0011AM1 , INJ0011AU1 , INJ0203AC1 , INJ0203BC1 , INJ0212AP1 , INJ0303AC1 , INJ0312AC1 , IRF740 , INK0001AC1 , INK0001AM1 , INK0001AU1 , INK0001BC1 , INK0001BM1 , INK0001BU1 , INK0002AC1 , INK0002AM1 .
History: ZXMN3A06DN8 | WM03N115A | JCS4N80F | 10N60L-TQ2-R | KP505B
History: ZXMN3A06DN8 | WM03N115A | JCS4N80F | 10N60L-TQ2-R | KP505B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a