INJ0312AP1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: INJ0312AP1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SC-62

Аналог (замена) для INJ0312AP1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

INJ0312AP1 даташит

 ..1. Size:115K  isahaya
 inj0312ap1.pdf pdf_icon

INJ0312AP1

 6.1. Size:241K  isahaya
 inj0312ac1.pdf pdf_icon

INJ0312AP1

INJ0312AC1 High Speed Switching Silicon P-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INJ0312AC1 is a Silicon P-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 2.8 machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 0.65 1.5 0.65 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current.

 9.1. Size:106K  isahaya
 inj0303ac1.pdf pdf_icon

INJ0312AP1

Другие IGBT... INJ0011AC1, INJ0011AM1, INJ0011AU1, INJ0203AC1, INJ0203BC1, INJ0212AP1, INJ0303AC1, INJ0312AC1, IRF740, INK0001AC1, INK0001AM1, INK0001AU1, INK0001BC1, INK0001BM1, INK0001BU1, INK0002AC1, INK0002AM1