INK0103AM1 Todos los transistores

 

INK0103AM1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: INK0103AM1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
     - Selección de transistores por parámetros

 

INK0103AM1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  isahaya
 ink0103ac1 ink0103am1 ink0103au1.pdf pdf_icon

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 8.1. Size:153K  isahaya
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INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unitmm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5voltage drive and low on resistance. 0.35 0.80.35FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT

 9.2. Size:109K  isahaya
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History: IPB60R160C6 | IPP076N12N3G | CTM09N20 | NVTFS002N04CL | 2SK162 | NTLJS17D0P03P8Z | RJK0351DPA

 

 
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