INK0103AM1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: INK0103AM1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
Тип корпуса: SC-70
Аналог (замена) для INK0103AM1
INK0103AM1 Datasheet (PDF)
ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf

INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unitmm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5voltage drive and low on resistance. 0.35 0.80.35FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT
Другие MOSFET... INK0010AU1 , INK0012AC1 , INK0012AM1 , INK0012AU1 , INK0102AC1 , INK0102AM1 , INK0102AU1 , INK0103AC1 , STP75NF75 , INK0103AU1 , INK0112AC1 , INK0112AM1 , INK0112AU1 , INK011BAP1 , INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 .
History: BRF6N60 | NCE50NF130F | IRLR3715ZPBF | H5N60U | 2N80L-TF2-T | JCS10N70S | 2N80L-TN3-R
History: BRF6N60 | NCE50NF130F | IRLR3715ZPBF | H5N60U | 2N80L-TF2-T | JCS10N70S | 2N80L-TN3-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement